參數(shù)資料
型號(hào): FF600R16KF1
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C) | M:HL124HW114
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.6KV五(巴西)國際消費(fèi)電子展| 601余(丙)|米:HL124HW114
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代理商: FF600R16KF1
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF600R17KF6CB2V IGBT Module
FF600R12KF4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C)
FF600R16KF4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C)
FS150R12KF4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C)
FS150R16KF4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 150A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FF600R16KF4 功能描述:IGBT 模塊 1600V 600A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF600R17KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 900A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF600R17KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF600R17KF4 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF600R17KF6B2 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module