型號: | FF400R17KF6CB2 |
英文描述: | IGBT Module |
中文描述: | IGBT模塊 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 93K |
代理商: | FF400R17KF6CB2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
FF401R17KF6CB2V | IGBT Module |
FF4R12K4 | IGBT Module |
FF4R16K4 | IGBT Module |
FF50R12KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF50R12KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
FF400R17KF6C-B2 | 功能描述:IGBT 模塊 1700V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF400R33KF2 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
FF400R33KF2C | 功能描述:IGBT 模塊 3300V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF401 | 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:FF401 FULL FACE MASK, S |
FF401-85FA | 制造商:MOFLASH SIGNALLING 功能描述:BEACON SURFACE 24VDC |