參數(shù)資料
型號(hào): FF300R12KF2
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW060
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 300?一(c)|米:HL093HW060
文件頁(yè)數(shù): 2/5頁(yè)
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代理商: FF300R12KF2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FF300R12KT3_E 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF300R12KT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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