型號(hào): | FF300R12KF2 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW060 |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 300?一(c)|米:HL093HW060 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 368K |
代理商: | FF300R12KF2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
FF30R17KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.7KV V(BR)CES | 30A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF3224 | Analog IC |
FF400R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW060 |
FF400R06KF3 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW060 |
FF400R06KL2 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
FF300R12KS4 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000100774_EUPEC DUAL HALFBRIDGE_TY_RO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 300A 1200V 62mm C-Series |
FF300R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF300R12KT3_E | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF300R12KT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF300R12ME3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |