- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371731 > FF200R06KF3 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL080HD5.4 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FF200R06KF3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL080HD5.4 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 200安培一（c）|米：HL080HD5.4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 365K |
| 代理商： | FF200R06KF3 |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF200R06KL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL080HW048 |
| FF200R06KL2 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| FF200R12KF | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R12KF2 | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R12KL | PHOTO MICROSENSOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF200R06KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL080HW048 |
| FF200R06KL2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| FF200R06ME3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R06YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R06YE3ENG | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。