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參數(shù)資料
| 型號： | FF150R10K |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | MODULE-S |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 150A一（c）|模塊? |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | FF150R10K |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| FF150R12KE3G_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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