參數(shù)資料
型號(hào)： FF-62-T
元件分類： 衰減器
英文描述： 4000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 3.75 dB INSERTION LOSS-MAX
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： FF-62-T
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PDF描述
FF0134SA1-E3000 34 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE FFC/FPC CONNECTOR, SURFACE MOUNT, SOCKET
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FF0140SA2-E3000 40 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE FFC/FPC CONNECTOR, SURFACE MOUNT, SOCKET
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參數(shù)描述
FF-62-TT 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog Miscellaneous
FF630 功能描述:FUSE INDUST 630A 550V BS IEC RoHS:是 類別:過(guò)電壓，電流，溫度裝置 >> 保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制 系列:FF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:Limitron® KTU 保險(xiǎn)絲類型:快速熔斷 電壓 - 額定:600VAC 電流:1.4kA 封裝/外殼:圓柱形，扁平端子（螺栓） 尺寸/尺寸:3.000" 直徑 x 10.750" L（76.20mm x 273.05mm） 安裝類型:螺栓安裝 顏色:- 工作溫度:- DC 抗冷流:- 熔化 I²t:-
FF650R17IE4 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 930A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF650R17IE4D_B2 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF6R12K4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
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