參數(shù)資料
型號： FDW256P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 8000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 67K
代理商： FDW256P
FDW256P Rev C(W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -10V
-6.0V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
10
20
30
40
50
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -3.5V
-10V
-4.0V
-4.5V
-6.0V
-5.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -8A
V
GS
= -10V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
2
4
6
8
10
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -4.0A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5.0V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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