參數(shù)資料
型號： FDW252P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 8.8 A, 20 V, 0.0125 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 229K
代理商： FDW252P
FDW252P Rev. B(W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
0
0.5
1
1.5
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= -4.5V
-2.5V
-2.0V
-1.5V
-3.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
6
12
18
24
30
-I
D
, DIRAIN CURRENT (A)
V
GS
= -2.0V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
-2.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
I
D
= -8.8A
V
GS
= -4.5V
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
= -4.4A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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