參數(shù)資料
型號(hào)： FDT439N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor
中文描述： 6.3 A, 30 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 289K
代理商： FDT439N
SOT-223 (FS PKG Code 47)
SOT-223 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Part Weight per unit (gram): 0.1246
September 1999, Rev. C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDT457N CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 1210
FDT458P 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDT459N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDT461N N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDU044AN03L VARISTOR STD 250VRMS 3225 SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDT439N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDT439N_Q 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDT457N 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDT457NJ23Z 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223
FDT458P 功能描述:MOSFET 30V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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