型號: | FDT434 |
廠商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
中文描述: | P溝道MOSFET的為2.5V指定的PowerTrench |
文件頁數: | 6/8頁 |
文件大?。?/td> | 244K |
代理商: | FDT434 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FDT434P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
FDT439N | N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor |
FDT457N | CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 1210 |
FDT458P | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
FDT459N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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FDT434P | 功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDT434P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
FDT434P_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??? MOSFET |
FDT434P_Q | 功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDT439N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |