參數(shù)資料
型號(hào)： FDS8934A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 4 A, 20 V, 0.065 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 417K
代理商： FDS8934A
FDS8934A Rev.B
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
-15V
I =-4.0A
0.1
0.2
0.5
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
30
50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
5
10
20
50
-
RDS(ON)LMT
D
DC
1s
10s
100ms
10ms
1ms
A
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = 135°C/W
T = 25°C
JA
GS
0
0.01
0.1
1
10
100
300
10
20
30
40
50
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =135°C/W
T = 25°C
JA
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
3000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 135°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
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PDF描述
FDS8936S Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8936 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8936A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8947A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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