參數(shù)資料
型號(hào)： FDS7288N3
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 20 A, 30 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： FLMP, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 174K
代理商： FDS7288N3
FDS7288N3 Rev C1 (W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
60
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
3.5V
6.0V
V
GS
=10V
4.0V
3.0V
2.5V
4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
0
10
20
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
30
40
50
60
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
6.0V
4.0V
10V
4.5V
5.0V
3.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
C)
R
D
,
I
D
= 20.5A
V
GS
= 10V
0.002
0.006
0.01
0.014
0.018
2
4
8
10
V
GS
, GATE TO SO6
R
D
,
I
D
= 10.25A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
60
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
=125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS7296N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS7766S 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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