參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6990S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
中文描述： 7.5 A, 30 V, 0.022 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： FDS6990S
FDS6990S Rev B (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
18
21
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 10A
V
DS
= 5V
15V
10V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
T
A
= 25
C/W
o
C
10ms
1ms
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
0
400
800
1200
1600
2000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 135 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
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PDF描述
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