參數(shù)資料
型號： FDS5682_NL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 7.5 A, 60 V, 0.021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SO-8
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 388K
代理商： FDS5682_NL
F
FDS5682 Rev. A
www.fairchildsemi.com
9
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDS5682 2 1 3 ; rev May 2005
Ca 12 8 7.7e-10
Cb 15 14 7.7e-10
Cin 6 8 16e-10
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 69.3
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 2.43e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 0.22e-9
RLgate 1 9 24.3
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 2.2
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 1e-2
Rgate 9 20 3.68
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 2.7e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*60),3.7))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=1.7E-11 N=1.03 RS=8e-3 TRS1=3e-3 TRS2=3e-6
+ CJO=6.82e-10 M=0.6 TT=4e-9 XTI=0.8)
.MODEL DbreakMOD D (RS=1.65 TRS1=1e-3 TRS2=-9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=3.8e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.54)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=1.7 KP=1.08 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=3.68)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=2.05 KP=50 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=1.44 KP=0.04 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=36.8 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.0e-3 TC2=-5e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=7.0e-3 TC2=2e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=2.8e-3 TC2=1.9e-5)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=4e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-2.0e-3 TC2=-7e-6)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.2e-3 TC2=1e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-1)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.5 VOFF=-0.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
19
8
+
-
17
18
-
6
8
+
-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS5690 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6064N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6064N7 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6162N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDS6064N3 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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