參數(shù)資料
型號： FDS4780
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 10800 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 355K
代理商： FDS4780
FDS4780 Rev B (W)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
2
3
4
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10V
5.5V
5.0V
4.5V
6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
20
40
60
80
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 5.0V
10V
6.0V
7.0V
5.5V
8.0V
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 10.8A
V
GS
= 10V
0.007
0.01
0.013
0.016
0.019
0.022
0.025
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 5.4A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
20
40
60
80
2
3
4
5
6
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
F
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
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PDF描述
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