參數(shù)資料
型號： FDS3992
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 4.5A, 62mз
中文描述： 4.5 A, 100 V, 0.062 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： FDS3992
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3992 Rev. B
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDS3992 2 1 3 ;
Ca 12 8 2.3e-10
Cb 15 14 3.5e-10
Cin 6 8 7.47e-10
rev Aug 2002
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 108
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 5.61e-9
Ldrain 2 5 1e-9
Lsource 3 7 1.98e-9
RLgate 1 9 56.1
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 19.8
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 25.e-3
Rgate 9 20 3.7
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 20e-3
Rvthres 22 8 Rvthresmod 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*45),2.5))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2.4E-12 N=1.04 RS=13e-3 TRS1=2.1e-3 TRS2=4.7e-7
+ CJO=5.5e-10 M=0.57 TT=3.25e-8 XTI=4.6)
.MODEL DbreakMOD D (RS=1.6 TRS1=2.4e-3 TRS2=-1e-5)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=1.6e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.54)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.8 KP=2 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=3.7)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.35 KP=28 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=3.26 KP=0.04 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=37 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.1e-3 TC2=-1e-8)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1.15e-2 TC2=2.8e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=3.3e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-4.8e-3 TC2=-1.1e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-3e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3 VOFF=-2)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2 VOFF=-3)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=1)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=1 VOFF=-1.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
19
8
+
-
17
18
-
6
8
+
-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
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PDF描述
FDS4070N3 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4070N7 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4072N3 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4072N7 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4080N3 40V N-Channel FLMP PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDS3992_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 4.5A, 62mз
FDS3992_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDS3992_Q 功能描述:MOSFET 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS4070N3 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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