參數資料
型號： FDS3170N7
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 6.7 A, 100 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： FLMP, SO-8
文件頁數： 4/6頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： FDS3170N7
FDS3170N7 Rev C1(W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
4.0V
5.0V
V
GS
= 10V
4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
10
20
30
40
50
60
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 6.7A
V
GS
= 10V
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 3.4A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
20
40
60
80
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 10V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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