參數(shù)資料
型號(hào)： FDP7N50U
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 5 A, 500 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 968K
代理商： FDP7N50U
3
www.fairchildsemi.com
FDP7N50U/FDPF7N50U REV. B
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
V
GS
Top : 10.0 V
8.0V
7.5 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
Note
1. V
DS
= 40V
2. 250μs Pulse Test
150
25
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
-1
10
0
10
1
25
150
Notes :
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
10
100
1000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
Note : I
D
= 7 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDPF7N50U 500V N-Channel MOSFET
FDP7N50 500V N-Channel MOSFET
FDPF7N50 500V N-Channel MOSFET
FDP8030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDP7N60NZ 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FD-P80 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORM6 DIF. FLEXIBLE 2M FREE-C 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER
FDP8030L 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP8030L_Q 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP80N06 功能描述:MOSFET 60V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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