參數(shù)資料
型號(hào)： FDP6676S
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
中文描述： 76 A, 30 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： FDP6676S
FDP6676S/FDB6676S Rev C (W)
Typical Characteristics
(continued)
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 38A
V
DS
= 10V
20V
15V
0
800
1600
2400
3200
4000
4800
5600
6400
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
1s
100m
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 1.8
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
10s
0
200
400
600
800
1000
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 1.8°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
r
T
R
θ
JC
(t) = r(t) * R
θ
JC
R
θ
JC
= 1.8 °C/W
T
J
- T
C
= P * R
θ
JC
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk
t
1
t
2
SINGLE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
F
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PDF描述
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FDP6676 30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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