參數(shù)資料
型號(hào)： FDP6021P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 28 A, 20 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： FDP6021P
FDP6021P/FDB6021P Rev. B(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
=-14A
V
DS
= -5V
-15V
-10V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
10
100
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 4
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100μs
0
0.0001
200
400
600
800
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 4°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JC
= 4 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB6030 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP6030 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP6030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDB6030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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