參數(shù)資料
型號： FDP047AN08A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
中文描述： 80 A, 75 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 246K
代理商： FDP047AN08A0
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047AN08A0 Rev. A
F
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
40
80
120
160
200
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
CURRENT LIMITED
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
SINGLE PULSE
100
1000
2000
50
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP047AN08 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз
FDB060AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз
FDP100N10 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
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參數(shù)描述
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