參數(shù)資料
型號(hào)： FDP047AN08
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
中文描述： N溝道UltraFET溝道MOSFET 75V的，80A條，4.7mз
文件頁數(shù)： 5/10頁
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代理商： FDP047AN08
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047AN08A0 Rev. A
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
10000
0.1
1
10
75
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 40V
I
D
= 80A
I
D
= 10A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз
FDB060AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз
FDP100N10 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
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FDB10AN06A0 CAP 0.1UF 50V 5% X7R SMD-1206 TR-7-PA SN100
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參數(shù)描述
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