參數(shù)資料
型號(hào)： FDN5630
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 254K
代理商： FDN5630
SuperSOT
-3 (FS PKG Code 32)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0097
SuperSOT
TM
-3 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP047AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
FDP047AN08 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз
FDB060AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз
FDP100N10 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDN5630N 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SuperSOT -3
FDN5632N 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDN5632N_F085 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FD-N8 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORM6 DIF. ECONOMY 2M FREE-CU
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