參數(shù)資料
型號： FDN359BN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET
中文描述： 2700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： FDN359BN
FDN359BN Rev A(W)
Typical Characteristics
0
3
6
9
12
15
0
0.5
1.5
2
2.5
V
DS
, DRAI1
I
D
,
3.5V
4.0V
V
GS
= 10V
3.0V
2.5V
4.5V
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
0
3
6
9
12
15
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
6.0
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
10.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.8
0.9
1
1.1
1.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
C)
R
D
,
I
D
= 2.7A
V
GS
= 10V
0.02
0.04
0.06
0.08
2
4
8
10
V
GS
, GATE TO SO6
R
D
,
I
D
= 1.35A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
3
6
9
12
15
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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