參數(shù)資料
型號(hào)： FDN357N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 1900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 84K
代理商： FDN357N
FDN357N Rev.C
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
V = 5V
10V
I = 1.9A
15V
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
20
I
D
RDS(ON) LIMIT
A
T = 25°C
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10s
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 250°C/W
JA
0
0.001
0.01
SINGLE PULSE TIME (SEC)
0.1
1
10
100 300
10
20
30
40
50
P
SINGLE PULSE
R =250° C/W
T = 25°C
θ
JA
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
R (t) = r(t) * R
R = 250 °C/W
Duty Cycle, D = t /t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1a.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
20
50
100
200
300
600
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical And Thermal Characteristics
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PDF描述
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