參數(shù)資料
型號(hào)： FDN342P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 307K
代理商： FDN342P
±
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Absolute Maximum Ratings
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Ratings
Units
V
DSS
V
GSS
I
D
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
-20
±
12
-2
-10
0.5
0.46
V
V
A
- Continuous
- Pulsed
(Note 1a)
P
D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
W
(Note 1b)
T
J
, T
stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°
C
Thermal Characteristics
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
250
75
°
C/W
°
C/W
(Note 1)
Package Outlines and Ordering Information
Device Marking
FDN342P
Device
FDN342P
Reel Size
7
’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
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0+ /"#(!" " 1+
0", &*" "++2+3 !4
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G
D
S
SuperSOT -3
D
S
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FDN358 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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