| 型號: |
FDI040N06 |
| 廠商: |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù): |
7/8頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述: |
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| 產品變化通告: |
Product Discontinuation 27/Feb/2012
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| 產品目錄繪圖: |
I-PAK, I2PAK Pkg
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| 標準包裝: |
50 |
| 系列: |
PowerTrench® |
| FET 型: |
MOSFET N 通道,金屬氧化物
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| FET 特點: |
標準
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
120A
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| 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
4 毫歐 @ 75A,10V
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| Id 時的 Vgs(th)(最大): |
4.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
133nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
8235pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
231W
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| 安裝類型: |
通孔
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| 封裝/外殼: |
TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
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| 供應商設備封裝: |
I2PAK
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| 包裝: |
管件
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| 產品目錄頁面: |
1608 (CN2011-ZH PDF)
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