參數(shù)資料
型號： FDI038AN06A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mз
中文描述： 17 A, 60 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AB
封裝： TO-262AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 280K
代理商： FDI038AN06A0
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 Rev. A1
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.9
1.0
1.1
1.2
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
-80
-40
0
40
80
120
160
200
100
1000
0.1
1
10
60
10000
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 80A
I
D
= 40A
WAVEFORMS IN
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PDF描述
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