參數(shù)資料
型號： FDG6335N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Tantalum Molded Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 3.2x6.0 mm; Packaging: Tape & Reel
中文描述： 700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： FDG6335N
FDG6335N Rev C (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 0.7A
V
DS
= 5V
15V
10V
0
50
100
150
200
0
5
10
15
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
1s
100ms
100
μ
s
1ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 415
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
0
0.001
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
100
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 415°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 415 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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FDG6342L 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 Integ Load Switch RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
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FDG8850NZ 功能描述:MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG901 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Slew Rate Control Driver IC for P-Channel MOSFETs
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