參數(shù)資料
型號： FDG6306P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： CAP CER 15000PF 250V X7R 1206
中文描述： 600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 61K
代理商： FDG6306P
FDG6306P Rev C (W)
Typical Characteristics
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-3.5V
-2.5V
-2.0V
V
GS
= -4.5V
-3.0V
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
0
0.5
1
1.5
2
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.5V
-4.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -0.6A
V
GS
= -4.5V
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -0.3 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
0.5
1
1.5
2
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
o
C
125
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG6308 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDG6308P CAP CER 68000PF 250V X7R 1206
FDG6313N Dual N-Channel, Digital FET
FDG6316 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDG6316P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
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