參數(shù)資料
型號(hào): FDD6N50TM
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 500V N-Channel MOSFET
中文描述: 6 A, 500 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 808K
代理商: FDD6N50TM
5
www.fairchildsemi.com
FDD6N50/FDU6N50 REV. A
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD7N20 N-Channel MOSFET
FDD7N20TF N-Channel MOSFET
FDD7N20TM N-Channel MOSFET
FDD8424H Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDD8444_06 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 5.2mз
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDD6N50TM_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FDD6N50TM_F085 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 500V 6A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD6N50TM_WS 功能描述:MOSFET 500V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD7030 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD7030BL 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube