參數(shù)資料
型號(hào)： FDD6N50TF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 6 A, 500 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 808K
代理商： FDD6N50TF
3
www.fairchildsemi.com
FDD6N50/FDU6N50 REV. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2
4
6
8
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
Note
1. V
DS
= 40V
2. 250
レ
s Pulse Test
∝
-55
∩
150
∩
25
∩
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
V
GS
Top : 10.0 V
8.0V
7.5 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
Notes :
1. 250
レ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
∩
∝
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
∝
J
= 25
∩
R
D
ヘ
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
-1
10
0
10
1
25
∩
150
∩
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
レ
s Pulse Test
∝
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
10
100
1000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
∝
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
Note : I
∝
D
= 6A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD6N50TM 500V N-Channel MOSFET
FDD7N20 N-Channel MOSFET
FDD7N20TF N-Channel MOSFET
FDD7N20TM N-Channel MOSFET
FDD8424H Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDD6N50TF_WS 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDD6N50TM 功能描述:MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD6N50TM_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FDD6N50TM_F085 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 500V 6A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD6N50TM_WS 功能描述:MOSFET 500V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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