參數(shù)資料
型號(hào)： FDD6690S
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 40A條（?。﹟對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 136K
代理商： FDD6690S
FDD6690S Rev C (W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
V
GS
= 10V
6.0V
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
0
10
20
30
40
50
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
GS
= 4.0V
6.0V
8.0V
10V
5.0V
4.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 10A
V
GS
= 10V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
= 5A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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