| 型號： |
FDC2612_F095 |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
4/5頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT |
| 產(chǎn)品變化通告： |
Mold Compound Change 08/April/2008
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
3,000 |
| 系列： |
PowerTrench® |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
200V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1.1A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
725 毫歐 @ 1.1A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
4.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
11nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
234pF @ 100V
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| 功率 - 最大： |
800mW
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
6-SSOT
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| 包裝： |
帶卷 (TR)
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