參數(shù)資料
型號(hào)： FDB5800
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
中文描述： 80 A, 60 V, 0.0126 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 249K
代理商： FDB5800
F
FDB5800 Rev. A
www.fairchildsemi.com
6
Figure 11.
- 80
40
160
T
J
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
0
- 40
80
120
200
0.6
0.8
1.2
0.2
N
T
1.4
1.0
0.4
V
GS
= V
DS
I
D
= 250
μ
A
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12.
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
- 80
40
160
T
J
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
0
- 40
80
120
200
1.0
1.1
N
B
1.2
0.9
I
D
= 250
μ
A
Normalized Drain to Source
Figure 13.
0.1
100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
1000
10000
20000
100
C
1
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
ISS
C
RSS
Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14.
20
0
60
100
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
40
80
4
6
10
0
V
G
,
8
2
WAVEFORMS IN
ASCENDING ORDER:
ID = 80A
ID = 1A
VDD =30V
Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB6021P 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP6021P 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB6030 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP6030 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP6030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDB5800_F085 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB600 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB601 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB602 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB6021P 功能描述:MOSFET P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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