| 型號(hào): | FDB5690 | 
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET | 
| 中文描述: | 32 A, 60 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 
| 封裝: | D2PAK-3 | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 7/16頁(yè) | 
| 文件大?。?/td> | 391K | 
| 代理商: | FDB5690 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| FDP5690 | 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET | 
| FDB5800 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | 
| FDB6021P | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 
| FDP6021P | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 
| FDB6030 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| FDB5800 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDB5800_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDB600 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS | 
| FDB601 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS | 
| FDB602 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |