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參數(shù)資料
| 型號： | FDB44N25TM |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 44 A, 250 V, 0.069 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 722K |
| 代理商： | FDB44N25TM |
3
www.fairchildsemi.com
FDB44N25 Rev A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperatue
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2
4
6
8
10
12
10
0
10
1
10
2
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
※
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
※
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
25
50
75
100
125
150
0.000
0.025
0.050
0.075
0.100
0.125
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
0
10
1
10
2
150
℃
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
※
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Note ;
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
※
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 125V
V
DS
= 200V
V
DS
= 50V
Note : I
※
D
= 44A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB52N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FDB52N20TM | 200V N-Channel MOSFET |
| FDB5680 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDF5680 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDP5680 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDB461 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog Filter |
| FDB52N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FDB52N20_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FDB52N20TM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB5645 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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