參數(shù)資料
型號(hào)： FDB2710
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 50 A, 250 V, 0.0425 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 612K
代理商： FDB2710
4
www.fairchildsemi.com
FDB2710 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
-100
-50
0
50
100
150
200
0
1
2
* Notes :
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 25A
r
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
2.5
25
50
T
C
, Case Temperature
[
o
C
]
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
I
D
,
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
400
1ms
10 ms
DC
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
* Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
100
μ
s
D
D
Drain-Source Voltage, V
DS
[V]
500
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0.01
0.1
0.2
0.05
0.02
* Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 0.48
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.5
Single pulse
T
[
Z
θ
J
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB33N25 250V N-Channel MOSFET
FDB33N25TM 250V N-Channel MOSFET
FDB3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
FDI3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
FDP3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
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參數(shù)描述
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FDB-3 功能描述:化學(xué)物質(zhì) CAP 10/PACK RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 產(chǎn)品:Adhesives 類型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外殼:Plastic Tube
FDB300 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:3 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB301 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:3 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
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