參數(shù)資料
型號(hào)： FDB10AN06A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： CAP 0.1UF 50V 5% X7R SMD-1206 TR-7-PA SN100
中文描述： 12 A, 60 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大小： 265K
代理商： FDB10AN06A0
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB10AN06A0 / FDP10AN06A0 Rev. A
F
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 2V
0
Q
gs2
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD120AN15A N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP12N50 N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDP13AN06A N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDB120N10 功能描述:MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB12N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDB12N50F 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ
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