參數(shù)資料
型號(hào): FD600R16KF4
英文描述: TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C)
中文描述: 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.6KV五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 601余(丙)
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代理商: FD600R16KF4
Technische Information / Technical Information
FD 600 R 17 KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
6
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
2,5
12,3
5,2
0,003
0,05
0,1
0,95
4,92
26,8
9,14
9,14
0,003
0,045
0,45
0,75
I
C
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
R
g
= 2,4 Ohm, T
vj
= 125°C
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7 (8)
FD600R17KF6CB2.xls
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參數(shù)描述
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FD600R17KE3-K_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KF4C 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KF6B2 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
FD600R17KF6C_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 975A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: