參數(shù)資料
型號(hào)： FD4R16K4
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 179K
代理商： FD4R16K4
IGBT-Module
FD 400 R 16 KF4
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
collector-emitter voltage
DC-collector current
repetitive peak collector current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
V
CES
I
C
I
CRM
P
tot
V
GE
I
F
I
FRM
V
ISOL
1600 V
400 A
800 A
3100 W
± 20 V
400 A
800 A
3,4 kV
t
p
=1 ms
t
C
=25°C, Transistor /transistor
t
p
=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Gleichsperrspannung
collector-emitter direct off-state voltage v
GE
= -15V, t
C
=-40°C...+125°C
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
min.
typ.
2100
3,3
4,4
5,5
max.
V
CE sat
v
CE sat
-
-
-
- V
i
C
=400A, v
GE
=15V, t
vj
=25°C
i
C
=400A, v
GE
=15V, t
vj
=125°C
i
C
=30mA, v
CE
=v
GE
, t
vj
=25°C
f
O
=1MHz,t
vj
=25°C,v
CE
=25V, v
GE
=0V
v
CE
=1600V, v
GE
=0V, t
vj
=25°C
v
CE
=1600V, v
GE
=0V, t
vj
=125°C
v
CE
=0V, v
GE
=20V, t
vj
=25°C
v
CE
=0V, v
EG
=20V, t
vj
=25°C
i
C
=400A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
v
L
=±15V, R
G
=4,7
, t
vj
=25°C
v
L
=±15V, R
G
=4,7
, t
vj
=125°C
i
C
=400A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
v
L
=±15V, R
G
=4,7
, t
vj
=25°C
v
L
=±15V, R
G
=4,7
, t
vj
=125°C
i
C
=400A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
v
L
=±15V, R
G
=4,7
, t
vj
=25°C
v
L
=±15V, R
G
=4,7
, t
vj
=125°C
3,7 V
4,8 V
6,5 V
- nF
- mA
- mA
400 nA
400 nA
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazitt
Kollektor-Emitter Reststrom
gate threshold voltage
input capacity
collector-emitter cut-off current
v
GE(TO)
C
ies
i
CES
4,5
-
-
-
-
-
65
3
30
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
i
GES
i
EGS
t
on
-
-
-
-
0,8
- μs
- μs
1
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
t
s
-
-
1,1
1,3
- μs
- μs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
t
f
-
-
0,25
0,3
- μs
- μs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
i
C
=400A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
R
G
=4,7
, t
vj
=125°C, L
S
=70nH
i
C
=400A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
R
G
=4,7
, t
vj
=125°C, L
S
=70nH
E
on
-
- mWs
170
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
E
off
-
90
- mWs
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaspannung
forward voltage
i
F
=400A, v
GE
=0V, t
vj
=25°C
i
F
=400A, v
GE
=0V, t
vj
=125°C
i
F
=400A, -di
F
/dt=2,5kA/μs
v
RM
=900V, v
EG
=10V, t
vj
=25°C
v
RM
=900V, v
EG
=10V, t
vj
=125°C
i
F
=400A, -di
F
/dt=2,5kA/μs
v
RM
=900V, v
EG
=10V, t
vj
=25°C
v
RM
=900V, v
EG
=10V, t
vj
=125°C
v
F
-
-
2,4
2,2
2,8 V
- V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
-
-
270
330
- A
- A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Q
r
-
-
50
- μAs
- μAs
110
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode /diode, DC, pro Modul / per module
Diode /diode, DC, pro Zweig / per arm
pro Module / per Module
pro Zweig / per arm
R
thJC
0,04 °C/W
0,05 °C/W
0,1 °C/W
0,01 °C/W
0,02 °C/W
150 °C
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
thCK
Hchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
t
vj max
t
c op
t
stg
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque
internal insulation
Al
2
O
3
M1
M2
3 Nm
2 Nm
terminals M4
terminals M8
8...10 Nm
ca. 1500 g
Gewicht
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehrigen Technischen Erluterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
Bedingung für den Kurzschluschutz / Conditions for short-circuit protection
t
fg
= 10 μs
V
CC
= 1000 V
v
L
= ±15V
v
CEM
= 1300 V
Unabhngig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v
1) Hchstzulssiger diF/dt-Wert / Maximum rated diF/dt-value
weight
G
R
GF
= R
GR
= 4,7
t
vj
= 125°C
CEM
= V
CES
- 20nH x |di
c
/dt|
i
CMK1
≈
4000 A
i
CMK2
≈
3000 A
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PDF描述
FD511 PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | CAN-4.8
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參數(shù)描述
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FD-5 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORM6 DIF. COAXIAL 500MM FIXE
FD5000032 功能描述:OSC 50MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR
FD5000033 功能描述:OSC 50MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR
FD5000034 功能描述:OSC 50MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR
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