參數(shù)資料
型號(hào)： FD400R33KF2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： FD400R33KF2
Technische Information / Technical Information
FD 400 R 33 KF2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Datenblatt
data sheet
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
T
j
= 25°C
T
j
= -25°C
V
CES
3300
3300
V
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80°C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
400
A
I
C
660
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
800
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor
P
tot
4,8
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
400
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. Current
t
P
= 1 ms
I
FRM
800
A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
A
2
s
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
T
j
= 125°C
P
RQM
400
kW
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
6.000
V
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
≤
10 pC (acc. to IEC 1287)
V
ISOL
2.600
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 400 A, V
GE
= 15V, Tvj = 25°C
V
CE sat
-
3,40
4,25
V
I
C
= 400 A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
-
4,30
5,00
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 40 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,2
5,1
6,0
V
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
50
-
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
2,7
-
nF
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V ... + 15V, V
CE
= 1800V
Q
G
-
8
-
μC
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 3300V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
-
0,05
4
mA
V
CE
= 3300V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
20
50
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
prepared by: Jürgen Gttert
date of publication : 08.06.99
approved by: Chr. Lübke: 04.10.99
revision: 2
55.600
1 (9)
Datenblatt FD 400 R 33 KF2
04.10.99
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PDF描述
FD400 RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc
FD400A1A RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc
FD400R8N RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc
FD400R8V RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc
FD400O2N Circular Connector; No. of Contacts:5; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:14; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:14-5 RoHS Compliant: No
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參數(shù)描述
FD400R33KF2C 功能描述:IGBT 晶體管 3300V 400A CHOPPER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FD400R33KF2C-K 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 660A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD400R4A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc
FD400R4B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc
FD400R4C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc
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