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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FD400R16KF4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 400A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.6KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展|四樓一（c） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 254K |
| 代理商： | FD400R16KF4 |
Technische Information / Technical Information
FD 600 R 17 KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 600A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
t
d,on
-
0,3
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
-
0,3
-
μs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 600A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
t
r
-
0,17
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
-
0,17
-
μs
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 600A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
t
d,off
-
1,1
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
-
1,1
-
μs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 600A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
t
f
-
0,11
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
-
0,12
-
μs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I
C
= 600A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH
E
on
-
270
-
mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I
C
= 600A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH
E
off
-
220
-
mWs
Kurzschluverhalten
SC Data
t
P
≤
10μsec, V
GE
≤
15V, R
G
= 2,4
T
Vj
≤
125°C, V
CC
=1000V, V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
·dI/dt
I
SC
-
2400
-
A
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
sCE
-
20
-
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
R
CC′+EE′
0,16
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 600A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
-
2,1
2,5
V
I
F
= 600A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
2,1
2,5
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 600A, - di
F
/dt = 3500A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
I
RM
-
430
-
A
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
520
-
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 600A, - di
F
/dt = 3500A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
Q
r
-
110
-
μAs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
200
-
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 600A, - di
F
/dt = 3500A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
E
rec
-
60
-
mWs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
110
-
mWs
2(8)
FD600R17KF6CB2.xls
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD600R12KF4V2 | IGBT Module |
| FD600R16KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C) |
| FD6R16K4 | IGBT Module |
| FD700.TR | |
| FD700 | Ultra Fast Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FD400R1A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc |
| FD400R1B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc |
| FD400R1C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc |
| FD400R1E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc |
| FD400R1N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc |
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