參數(shù)資料
型號： FCPF20N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 20 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 1248K
代理商： FCPF20N60
3
www.fairchildsemi.com
FCP20N60 / FCPF20N60 Rev. A1
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
°
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
0
10
1
10
2
Note
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
°
C
150
°
C
25
°
C
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
°
C
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0
10
1
10
2
25
°
C
150
°
C
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
Note : I
D
= 20A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FCP20N60 600V N-Channel MOSFET
FCR Fusing Surface Mounted Resistors
FCX1047A NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
FCX1051A NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
FCX1053A NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FCPF20N60FS 功能描述:MOSFET 600V NH MOSFET FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FCPF20N60S 功能描述:MOSFET 600V , NCH , MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FCPF20N60ST 功能描述:MOSFET 600V NH MOSFET FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FCPF20N60T 功能描述:MOSFET 600V N-CH SuperFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FCPF20N60TYDTU 功能描述:MOSFET 600V N-Channel SuperFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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