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參數(shù)資料
| 型號： | FC21 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | High-Frequency Amplifier, AM tuner RF Amplifier Applications |
| 中文描述： | 高頻放大器，上午調(diào)諧器射頻放大器應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | FC21 |
FC21
No.7021-2/5
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
[FET]
Gate-to-Drain Breakdown Voltage
Gate Cutoff Current
Cutoff Voltage
Drain Current
Forward Transfer Admittance
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Noise Figure
[TR]
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)GDS
IGSS
VGS(off)
IDSS
yfs
Ciss
Crss
NF
IG=--10
μ
A, VDS=0
VGS=--20V, VDS=0
VDS=10V, ID=100
μ
A
VDS=10V, VGS=0
VDS=10V, VGS=0, f=1kHz
VDS=10V, VGS=0, f=1MHz
VDS=10V, VGS=0, f=1MHz
VDS=10V, Rg=1k
, ID=1mA, f=1kHz
--40
V
nA
V
mA
mS
pF
pF
dB
--1.0
--5.0
75*
--2.0
40*
22
--3.0
30
11
2.5
1.5
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
VCB=35V, IE=0
VEB=4V, IC=0
VCE=6V, IC=1mA
VCE=6V, IC=10mA
VCB=6V, f=1MHz
IC=50mA, IB=5mA
IC=50mA, IB=5mA
IC=10
μ
A, IE=0
IC=1mA, RBE=
∞
IE=10
μ
A, IC=0
0.1
0.1
600
μ
A
μ
A
135
100
MHz
pF
V
V
V
V
V
3
0.1
0.8
0.5
1.0
55
50
6
* : The FC21 is classified by IDSS as follows : (unit : mA)
Rank
J
IDSS
40 to 52
The specifications shown above are for each individual FET or transistor.
Electrical Connection
B
K
L
48 to 63
57 to 75
0
100
80
60
40
20
0
ID -- VGS
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
D
ID -- VGS
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
D
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
100
80
60
40
20
--6
--4
--5
--3
--2
--1
0
80
40
20
60
0
0
4
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
8
20
12
16
ID -- VDS
D
80
60
40
20
0
0
1
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
2
3
4
5
ID -- VDS
D
ITR01960
[FET]
ITR01961
[FET]
ITR01963
ITR01964
VGS=0
--0.5V
--1.0V
--2.0V
--2.5V
--3.0V
VGS=0
--0.5V
--1.0V
--2.0V
--2.5V
--3.0V
--1.5V
--1.5V
VDS=10V
IDSS7mA
4mA
VDS=10V
IDSS=60mA
T=-2
°
C
75
°
C
2
°
C
[FET]
[FET]
S
C
G
E / D
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