
Technische Information / Technical Information
F4-400R12KS4 B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
Transistor / transistor,DC , pro Modul / per
module
Transistor / transistor,DC , pro Zweig / per arm
R
thJC
-
-
10,5
K/kW
thermal resistance, junction to case
-
-
42,0
K/kW
Diode / Diode, DC, pro Modul / per module
-
-
17,5
K/kW
Diode / Diode, DC, pro Zweig / per arm
-
-
70,0
K/kW
übergangs-Wrmewiderstand pro Modul / per module
R
thCK
-
8,0
-
K/kW
thermal resistance, case to heatsink
pro Zweig / per arm
-
32,0
-
K/kW
Paste
= 1 W/m*K /
grease
= 1 W/m*K
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
vj op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
AlSiC
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
12
mm
Luftstrecke
clearance
12
1)
mm
CTI
comperative tracking index
> 400
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M6
M1
4,25
5,75
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M6
M2
5
6
Nm
Gewicht
weight
G
1500
g
1)
Luftstrecke nur gültig bei Verwendung des eupec-Steckergehuses / Clearance only valid with usage the eupec terminal housing
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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F4-400R12KS4 B2_V3.xls
2001-11-29