參數(shù)資料
型號(hào)： F25L008A-50PAG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述： 1M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8
封裝： 0.200 INCH, LEAD FREE, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 25/31頁(yè)
文件大?。?/td> 374K
代理商： F25L008A-50PAG
ES MT
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
F25L008A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.4
25/31
Publication Date
:
May. 2007
Limits
Parameter
Typ.(2)
Max.(3)
Unit
Sector Erase Time
60
120
ms
Block Erase Time
1
2
s
Chip Erase Time
8
30
s
Byte Programming Time
7
30
us
Chip Programming Time
25
100
s
Erase/Program Cycles (1)
100,000
-
Cycles
Data Retention
20
-
Years
Notes:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25°C, 3V.
3.Maximum values measured at 85°C, 2.7V.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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F28F010-120 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
F28F010-150 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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F25L016A_08 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16Mbit (2Mx8) 3V Only Serial Flash Memory
F25L016A_1 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16Mbit (2Mx8) 3V Only Serial Flash Memory
F25L016A-100PAG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16Mbit (2Mx8) 3V Only Serial Flash Memory
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