| 型號(hào): | F2246 |
| 廠商: | Polyfet RF Devices |
| 英文描述: | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述: | 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商: | F2246 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| F2247 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F2248 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F30D05 | POWER RECTIFIERS(30A,50-200V) |
| F30D10 | POWER RECTIFIERS(30A,50-200V) |
| F30D15 | POWER RECTIFIERS(30A,50-200V) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| F2247 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F2248 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F224X | 功能描述:電源變壓器 115VAC 12.6V 3.0A PRI 115VAC RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級(jí)電壓額定值:115 V / 230 V 次級(jí)電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長(zhǎng)度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
| F-224X | 制造商:Triad Magnetics 功能描述: |
| F2250NLGK | 功能描述:RF Attenuator 35dB 50MHz ~ 6GHz 50 Ohm 16-TFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態(tài):有效 衰減值:35dB 容差:- 頻率范圍:50MHz ~ 6GHz 功率(W):- 阻抗:50 歐姆 封裝/外殼:16-TFQFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:624 |