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參數(shù)資料
| 型號： | F2202 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | F2202 |
POUT VS PIN GRAPH
F2202S
F2C 2 DIE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F2C 2 DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F2C 2 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F220L | Peripheral IC |
| F25A05G | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-247 |
| F25A05K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-Q |
| F25A06GF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-247 |
| F25A10K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-Q |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F2202S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER |
| F2204 | 制造商:ITF 制造商全稱:ITF 功能描述:SAW Bandpass Filter F2204 |
| F220920J | 制造商:Mersen 功能描述:Protistor gRC fuse w/striker,32A 690Vac |
| F220966 | 制造商:Mersen 功能描述:PROTISTOR BS88-4 55A |
| F220L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC |
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