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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F2201S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 800MA I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五（巴西）直| 800mA的（?。?/td> |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | F2201S |
POUT VS PIN GRAPH
F2201S
F2C 1 DIE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F2C I DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F2C 1 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F2201 | MGrid Hdr Shrd Vt Slot/Stdf.38AuLF 20Ckt |
| F2202S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 1.6A I(D) |
| F2202 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F220L | Peripheral IC |
| F25A05G | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F2202 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F2202S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER |
| F2204 | 制造商:ITF 制造商全稱:ITF 功能描述:SAW Bandpass Filter F2204 |
| F220920J | 制造商:Mersen 功能描述:Protistor gRC fuse w/striker,32A 690Vac |
| F220966 | 制造商:Mersen 功能描述:PROTISTOR BS88-4 55A |
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